wincc中如果用一个画面中的按钮控制多层嵌套的另一个画面中的对象的属性有两个方法： |
| S7-200plc程序数据的断电保存方法，主要可分三种，其数据断电保存方法及特点如下： 一、在系统块中设置断电数据保持功能来保存数据。 在 S7-200的编程中，系统块中有一项功能为断电数据保持设置，设置范围包括V存储区、M存储区、时间继电器T和计数器C（其中定时器和计数器只有当前值可被保持，而定时器位或计数器位是不能被保持的）。其基本工作原是在PLC外部供电中断时，利用PLC内部的超级电容供电，保持系统块中所设置的断电数据保持区域的数值保持不变，而将非保持区域的数据值归零。由于超级电容容量的限制，在西门子的资料中宣称只能保存几天时间。对于M存储区中的**四个字节（即MB0-MB13），当设为断电数据保持，在PLC外部供电中断时，PLC内部自动将以上存储区的数据转移到EEPROM中，因此可实现断电**保存。 若需更长的RAM存储器断电数据保存时间，西门子公司可提供一个可选的电池卡，在超级电容耗尽后继续提供电能，延长数据保存时间（约200天）。 二、在编程时建立数据块来保存数据。 在程序设计的编程阶段，可在编程中建立数据块，并赋予需要的初始值，编程完成后随程序一起下载到PLC的RAM存储器中，CPU同时自动将其转存于EEPROM，作为EEPROM储器中的V数据永存储区。因EEPROM的数据保存不需要供电维持，所以可以实现**保存。若在系统块中相应V存储区未设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU自动将EEPROM中的V数据值读入RAM的V存储区。若相应V存储区设为断电数据保持，在每次PLC上电初始，CPU检测断电数据保存是否成功。若成功，则保持RAM中的相应V数据保持不变。若保存不成功，则将EEPROM中的相应V数据值读入RAM的V存储区。此方法只适用于V数据的断电数据保存。 三、在程序中用SMB31和SMW32来保存数据。 在程序中将要保存的V存储器地址写入SMW32，将数据长度写入SMB31，并置SM31.7为1。在程序每次扫描的末尾，CPU自动检查SM31.7，如果为1，则将指定的数据存于EEPROM中，并随之将SM31.7置为零，保存的数据会覆盖先前EEPROM中V存储区中的数据。在保存操作完成之前，不要改变RAM中V存储区的值。存一次EEPROM操作会将扫描时间增加15至20毫秒。因为存EEPROM的次数是有限制的（*少10万次，典型值为100万次），所以必须控制程序中保存的次数，否则将导致EEPROM的失效。 结合以上的了解和工地调试的经验，在实际应用中，若遇到需程序数据保持的时候，要多种方法结合运用以达到*理想的结果。针对程序中需保存数据的不同，采取不同的方式实现。对于需在程序第一次运行时进行预置并在程序运行过程中个别情况下进行重新设置的数据，如高度、荷重等相关标定参数，可在程序的数据块中建立数据，并赋予初始数值。同时在程序中编入SMB31和SMW32命令，在相关条件下对EEPROM的V数据区进行重新保存，修改先前的初始值。示例如下，当进行参数设置时，置M0.0为1，完成一次VD100的EEPROM存储器保存操作。 对于程序运行过程中数值变化比较频繁，且需断电长期保存的数据，则可将数据存于MB0至MB13存储区，且系统块的断电数据保存设置中将相应的M存储区设为断电数据保存。也可使用程序中的V存储区，在必要时如上图所示进行一次程序数据存储，而在断电数据保持设置中可选取，也可不选取。 |
带有螺钉型或弹簧型端子的所有型号（推入式技术）
通过弹簧型端子进行顶部接线（推入式），接线快速而牢固
具有 6.2 mm 的统一宽度，可节省控制柜内的空间
由于差异性减少，库存减少
绿色 LED 指示灯清晰显示耦合继电器的工作状态
集成的反极性保护和 EMC 灭弧二极管
整个 3RQ3 系列实现标准化附件
通用桥接选件，所有端子采用梳形连接件
电气隔离板，用于隔离相邻装置的不同电压
夹式标签，可用作单独标签组件
继电器固定在外壳内，提高了接触可靠性
配有硬镀金触头的设备型号，在低电流条件下接触可靠性高
通过现有接线快速更换继电器
采用经过认证的成套单元，安装时间短
具体继电器作为备件提供
配有硬镀金触头的设备型号，在低电流条件下接触可靠性高
不会发生机械磨损，因此使用寿命长
通断时间短，切换频率高
冲击-振动
无触头弹跳
极高接触可靠性
无噪声切换
所需的控制电压较低
分断直流负载和容性负载
注：
对于半导体而言，切换电流不依赖于负载的电感，即感性 DC-13 负载的切换电流与 DC-12负载的切换电流相同。这意味着带半导体输出的耦合链接尤其适用于感性负载，例如电磁阀。是否规定操作循环数并不重要，因为在不发生过热的前提下，操作循环数不会影响半导体的耐久性。