为您的电源选择佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是为高效的，其尺寸大且成本也高。调高频率可以缩小尺寸并降低成本，但会增加电路损耗。我们使用一款简单的降压电源来描述这些权衡过程。
我们以滤波器组件作为开始。这些组件占据了电源体积的大部分，滤波器的尺寸同工作频率成反比关系。另一方面，每一次开关转换都会伴有能量损耗；工作频率越高，开关损耗就越高，效率也就越低。较高的频率运行通常意味着可以使用较小的组件值。更高频率运行能够带来极大的成本节约。
图1 显示的是降压电源频率与体积的关系。频率为 100 kHz时，电感占据了电源体积的大部分（深蓝色区域）。如果我们假设电感体积与其能量相关，那么其体积缩小将与频率成正比例关系。由于某种频率下电感的磁芯损耗会极大增高并限制尺寸的缩小，在此情况下上述假设就不容乐观了。如果该设计使用陶瓷电容，那么输出电容体积（褐色区域）便会随频率缩小，即所需电容降低。另一方面，之通常会选用输入电容，是因为其具有纹波电流额定值。该额定值不会随频率而明显变化，其体积（$区域）往往可以保持恒定。电源的半导体部分不会随频率而变化。这样，由于低频开关，无源器件会占据电源体积的大部分。当我们转到高工作频率时，半导体（即半导体体积，淡蓝色区域）开始占据较大的空间比例。
图1 ：电源组件体积主要由半导体占据。
该曲线图显示半导体体积本质上并未随频率而变化，而这一关系可能过于简单化。与半导体相关的损耗主要有两类：传导损耗和开关损耗。同步降压转换器中的传导损耗与MOSFET 的裸片面积成反比关系。MOSFET 面积越大，其电阻和传导损耗就越低。
开关损耗与 MOSFET 开关的速度以及 MOSFET具有多少输入和输出电容有关。这些都与器件尺寸的大小相关。大体积器件具有较慢的开关速度以及更多的电容。图 2 显示了两种不同工作频率(F) 的关系。传导损耗 (Pcon)与工作频率无关，而开关损耗 (Psw F1 和 Psw F2)与工作频率成正比例关系。更高的工作频率 (Psw F2)会产生更高的开关损耗。当开关损耗和传导损耗相等时，每种工作频率的总损耗低。随着工作频率提高，总损耗将更高。
在更高的工作频率下，佳裸片面积较小，从而带来成本节约。实际上，在低频率下，通过调整裸片面积来小化损耗会带来极高成本的设计。转到更高工作频率后，我们就可以优化裸片面积来降低损耗，从而缩小电源的半导体体积。这样做的缺点是，如果我们不改进半导体技术，那么电源效率将会降低。
图2 ：提高工作频率会导致更高的总体损耗。
如前所述，更高的工作频率可缩小电感体积；所需的内层芯板会减少。更高频率还可降低对于输出电容的要求。有了陶瓷电容，我们就可以使用更低的电容值或更少的电容。这有助于缩小半导体裸片面积，进而降低成本。
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